ویژگیهای جذب پوششهای عاری از سرب برای استفاده در فرایند حفاظت پرتوی THE ABSORPTION PROPERTIES OF LE
دسته بندي :
کتاب »
گوناگون
ویژگیهای جذب
پوششهای عاری از سرب برای استفاده در فرایند حفاظت پرتوی
THE ABSORPTION PROPERTIES OF LEAD-FREE GARMENTS
FOR USE IN RADIATION PROTECTION
لینک دانلود:
http://s9.picofile.com/file/8315577076/RadiatProtDosimetry_2016_etin_rpd_ncw004.pdf.html
چکیده:
در این مطالعه،
قابلیت جذب و وزن مواد مختلف حفاظتی پرتوی به عنوان جایگزین هایی برای پوشش های
سرب ارزیابی شدند. سمیت، عدد اتمی، چگالی، انرژی جذب لبه k و قابلیت در
دسترس قرارگیری عناصر می توانند به عنوان یک جایگزین مناسب برای سرب در نظر گرفته شوند،
که از جمله می توان به قلع، آنتیموان, بیسموت و تنگستن اشاره کرد. ضرائب تضعیف این
عناصر با استفاده از بسته نرم افزاری Xcom بدست آمدند و این فلزات در نسبت های جرم 50، 70، 80 و 85 درصد با
پلی مرها ترکیب شدند. می توان نتیجه گیری کرد که تمام مواد حفاظتی جدید مورد
استفاده در این مطالعه می توانند برای محدوده تشخیصی اشعه های ایکس بکار گرفته
شوند. با این حال، آن ها بر حسب وزن و ضریب تضعیف با پوشش های سرب تجاری مقایسه
شدند. نسبت جرمی85 درصدی نمونه ها سبکتر از پوشش سرب 5/0 میلی متر بودند و فرایند
حفاظتی پرتوی بالایی را فراهم آوردند که حاکی از قابلیت و پتانسیل آن ها برای
کاربردهای تجاری می باشد.
1 . مقدمه
پوشش های حفاظتی مبتنی بر سرب به طور گسترده در
فرایند حفاظت پرتوی مورد استفاده قرار گرفته اند تا کارکنان و همچنین بیماران
مراکز بهداشتی را در مقابل در معرض قرارگیری نسبت به اشعه ایکس و روندهای درمانی و
تشخیص حفظ کنند. دلایل اصلی استفاده از سرب را می توان به شرح زیر خلاصه کرد: سرب
برای پردازش آسان است، ضریب جذب بالایی دارد و می تواند روند حفاظتی مؤثری را در
محدوده وسیعی از انرژی های فوتون ارائه دهد. با این حال، پوشش های سرب به طور
طبیعی سنگین هستند و پوشیدن آنها برای مدت طولانی در پروسه های رادیولوژی مانند
رادیولوژی مداخله ای برای پرسنل راحت نیست. سرب یک عنصر سمی است و از این رو
استفاده و در معرض قرارگیری با سرب در برخی موارد ممنوع و محدود شده است. مسئله
وزن سنگین پوشش های حفاظتی مبتنی بر سرب با استفاده از جایگزینی بخشی از سرب با
عناصر دارای عدد اتمی متوسط از جمله مس، باریم، قلع، آنتیموان و ایتریم بررسی شده
است. برای ارائه تضعیف فلزاتی از جمله سرب، این پوشش های حفاظتی جدید برهم کنش های
فتوالکتریکی لبه k را مورد
استفاده قرار می دهند و جذب بالای فوتون برای فوتون های دارای انرژی مساوی یا کمی
بالاتر از انرژی اتصال لایه k رخ می دهد. از طرف دیگر